单颗2Gb 三星将发40nm内存颗粒
作者:news 西安 2009年07月23日 【业界动态】
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简介]
三星公司生产出的2Gb DDR3内存颗粒的提高耗电量既没有提高,又没有增加生产成本…… (358 字)
三星公司生产出的2Gb DDR3内存颗粒的提高耗电量既没有提高,又没有增加生产成本…… (358 字)
昨天,三星公司表示,他们将会成为第一家有能力生产40纳米拥有2Gb(256MB)容量DDR3内存颗粒的生产企业。由于使用了最新高密度内存颗粒生产工艺,三星公司生产出的2Gb DDR3内存颗粒的提高耗电量既没有提高,又没有增加生产成本 。

三星公司表示,使用他们最新的40纳米DDR3内存颗粒可以生产出针对服务器平台的单条容量高达16GB的内存产品以及针对笔记本电脑的单条容量高达4GB的内存产品。使用40纳米工艺内存产品的电压将会降到1.35伏,在内存的反应时间方面,40纳米工艺的内存产品将会比50纳米工艺的产品提高60%的性能,同时40纳米DDR3内存的售价可能会比50纳米工艺的内存还要便宜一些。每一颗2Gb容量的内存颗粒还拥有几乎等于1Gb容量的颗粒2倍的带宽。
不过目前三星公司并没有明确表示使用40纳米2Gb容量内存颗粒的内存将会在何时投入市场,并且同样没有公布其上市的大概价格。