SRAM是微处理器上的一个重要单元，日前有消息透露，数个公司和团体正打算合作尝试以最新的22纳米制造工艺来制造SRAM芯片。参与22纳米SRAM芯片的研发和制造的公司与团体包括了AMD、Freescale、IBM STMicroelectronics、东芝以及奥尔巴尼大学纳米科学和工程学院，该芯片将采用传统的6晶体管在一个300mm的晶圆上构成，其存储单元尺寸仅为0.1平方微米，相比起英特尔45纳米SRAM芯片的存储单元尺寸（该测试芯片用于制造目前的45纳米处理器）来要小很多，英特尔SRAM存储单元尺寸为0.346平方微米。
如果22纳米芯片制造成功的话，其制造工艺将可以领先目前两代；不过目前AMD在45纳米领域甚至还赶不上英特尔的制程，所以最终鹿死谁手还未可知。当然，英特尔的32纳米SRAM单元晶圆去年9月份才刚刚提出，32纳米处理器雏形应该会在本周的IDF上展示。至于22纳米SRAM单元，之前虽然传闻英特尔将会在2012年拿出22纳米处理器，但是与IBM和AMD等联合研究方比起来究竟谁更快一些还是个疑问。可以肯定的一点是英特尔绝对不是一个可以小觑的对手，之前IBM也曾表示过，该公司拥有“领先其他公司或团体的32纳米高－K金属闸极技术”，实际上英特尔从2007年末引入45纳米的Penryn处理器开始就已经开始运用高－K金属闸极技术了。
虽然目前我们离22纳米和32纳米的实际量产产品还很远，但是很明显IBM、AMD以及他们的合作伙伴在制造工艺上对英特尔的压力已经越来越大。在近十年的时间里，英特尔的制造工艺一直是业内领先的；如今面对英特尔可能被超越的现状，可以想见下一代处理器产品的竞争将会因此而变得甚为有趣。
网友评论：（请各位网友遵纪守法并注意语言文明，留言仅供参考不代表本站立场） TOP↑
