日本Genusion已经证实了该公司NOR型闪存“B4-Flash”可进行100MB/秒写入的高可靠性。除确认可擦写100万次外，还确认了可进行20年的连续读取以及150℃下10年的数据保存。“解决了09年投产所面临的课题之一”(该公司)。公司计划在法国Opio举行的“23rd IEEE Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop（NVSMW）/3rd International Conference on Memory Technology and Design（ICMTD）”上发表此次的试验成果。

   与原来的NOR型闪存相比，B4-Flash能高速写入数据。面向的用途为手机、车载设备等要求高可靠性的程序和数据存储。Genusion在“2006 VLSI Symposium on Technology”（06年）上发表了该闪存的基本架构，在“22nd NVSMW”（07年）上发表了以100MB/秒工作的4Mbit芯片。

   日本Genusion在此次“NVSMW/ICMTD”会议上，还将发表采用标准CMOS工艺、可混载的非易失性内存“eCFlash”。这是一款采用0.25μm工艺制造的2KB评测芯片，已确认可进行10万次擦写以及150℃下20年数据保存。通过采用电荷捕获(Charge Trap)型单元和差动感应锁存（Sense latch）电路技术，与原来的OTP(一次编程)/ MTP（多次编程）闪存相比，提高了擦写次数。

   小熊点评：

   这样的速度，串口标准都快跟不上了。也就三四年，估计传统硬盘就要退二线了，和磁带机一样成为备份的设备，主流设备就要让位给闪存存储。新一轮的存储革命即将来临！