| 第3页：Geforce 10顶级=9900GTX！？ |
GT200/D10U是一个单芯片，究竟会采用55nm还是现有的65nm尚无准确消息，不过可以肯定的是，由于内部晶体管数量预计将超过10亿个，因此核心die Size也将超越以往的产品，散热是GT200面临的一个大问题。
综合目前的消息，GT200很大程度将命名为Geforce 9900GTX，PCB板代号P651，板载16颗GDDR3显存，前后各8颗，位宽512-bit，最大容量1GB。核心内部拥有240个流处理器、32个ROP单元，相当于G80、G92的两倍。这些ROP单元每8个一组构成32-bit位宽，总计512-bit，240个流处理器则分成10个阵列。
PCB正面模型图
前段时间，VR-Zone网站放出的9900GTX模型图，PCB板代号P651，板载16颗GDDR3显存，前后各8颗，位宽512-bit，最大容量1GB。
从模型图上看，GT200的布局和G80差不多，也是核心芯片面积很大，NVIO芯片被分离出来放在挡板和核心之间，接口是两个DVI和一个S-Video，没有DisplayPort，拥有两个SLI桥接口，支持三路SLI，辅助供电接口是一个六针和一个八针+12V电源口。GT200的热设计功耗至少有240W。
PCB背面模型图
NVIO独立芯片再度出现在GT200 PCB上，我想，这个模型图如果是真的话，那么我们将可以判断出两点，一是NVIDIA受现有TSMC 65nm或者55nm工艺的制约，无法在GT200核心塞下更多的晶体管而被迫采用GPU与输出模块分离式设计的做法（像上代的G80）；二是NVIDIA希望GPU与NVIO分离式设计能够降低芯片复杂度、提高良品率、更有利于散热。总而言之，G200的设计难度又将达到一个新的高度。毕竟以现在G92的TSMC 65nm工艺，将NVIO集成进去根本不成问题，这种做法似乎没有必要。
GT200将支持512bit显存位宽，与RV770XT看齐，单卡性能超越RV770XT对NVIDIA而言应该不是什么难事，能否超越自家的双芯旗舰Geforce 9800GX2应该才是很多人更感兴趣的地方。
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