第1页：瑞创促销送好礼第2页：亿能1G DDR2 800试用第3页：亿能1G DDR2 800试用1

第3页：亿能1G DDR2 800试用1

　　对于采用在内存上的高速PCB来说，布线显得尤为重要，设计者会采用差分走线，蛇形走线来尽可能增强信号传输能力。亿能内存的PCB板设计走线合理，布线尽可能的简洁，使得信号传输可以具备更强的抗干扰能力，有效抑制EMI，并且具备更加准确的时序定位。这些都显示了亿能内存雄厚的技术实力，和设计者对产品品质的高要求。小熊在线www.beareyes.com.cn

为了能更加直观的反映亿能DDR2 800内存的性能表现，我们采用了目前主流的酷睿2 平台对其进行基本的测试评分。整套测试平台采用的是酷睿2 E6320处理器，965级别芯片组和8600GT显卡，由于仅收到单条内存，所以没有在双通道情况下进行测试。小熊在线www.beareyes.com.cn

硬件测试平台 CPU Intel Core 2 Duo E6320 (2.13GHz,，1066MHz，2MB L2，双核) 内存 亿能DDR2-800 1G 硬盘 希捷酷鱼 250G 主板 富士康P965－A 显卡 映众8600GT 电源 富士康 软件测试平台 操作系统 English Windows XP Pro SP2 (DirectX 9.0C Ready) 主板驱动 Intel inf 8.0.1.1010 Final For Win2000/XP 显卡驱动 nVIDIA Forceware 93.71 WHQL For Win2000/XP 测试项目 内存理论带宽测试 EVEREST Ultimete 2007 内存应用带宽测试 PCmark05

通过CPU-Z 1.40.5版的信息检测，我们可以详细的了解到这款亿能内存的生产日期和时序等信息。其中，送测的这款内存的生产日期为2007年第18周，内存颗粒厂商为AENEON。在400Mhz的频率下，内存可以分别工作在4－5－5－16和5－5－5－16的时序下。关于时序的标示，这里笔者给大家简单介绍一下，首先这四个数字分别代表的是CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间，Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间和Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。其中CAS Latency是内存重要参数之一，延迟越小，内存数据响应时间就越短，性能更佳，一般DDR2内存的CL值从4开始。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。小熊在线www.beareyes.com.cn

　　总体成绩来看，亿能1G DDR2 800的成绩属于主流水平，并且相比同类产品有一定的优势，这显示了亿能出色的内存设计水平。小熊在线www.beareyes.com.cn

《亿能1G DDR2 800试用》...返回上一页＜＜ [1] [2] [3] [上一页]

《瑞创主推亿能内存+华硕主板促销送好礼》分页索引

第1页：瑞创促销送好礼 第2页：亿能1G DDR2 800试用 第3页：亿能1G DDR2 800试用1 全文

LEE 　重庆 2007年09月18日