镁光D9神力GeIL Ultra DDR2-800 Plus测试
2006年08月29日21:05

镁光D9神力！GeIL Ultra DDR2-800 Plus测试

DDR2-800@3-3-3-8！

以最新上市的Intel Core 2 Duo桌面处理器为契机，全球的PC DIY玩家再次活跃起来。性能突飞猛进的Intel全新架构CPU能够全方位满足超频玩家的挑战要求：CPU超频潜力巨大；Intel 975X Express/P965 Express系列芯片组能够在非常高的FSB下运行并且提供多样化的内存：CPU运行频率比例；与CPU、主板配合的高性能内存模组层出不穷。就在笔者结束大型DDR2 SDRAM内存应用、横测文章《频率、时序与超频！高性能DDR2碰撞顶级平台》不久，GeIL送到了一套最新超频型产品，和横测中GeIL面向普通用户的千禧系列不同，这款属于Ultra系列的内存模组专为超频玩家设计，比其高性能白金系列的定位还要高端。

GeIL Ultra系列早先就有DDR2-800规格的内存产品，DDR2-800下标称时序为4-4-4-12，此次送测的是被称作GeIL Ultra DDR2-800 Plus的型号，实力进一步提升到DDR2-800下标称3-3-3-8时序的强悍水准，并且在特定的Socket AM2 K8平台做出优化，它是ASUS M2R32-MVP主板（基于ATI RD580新片组）的推荐搭配内存模组。

GeIL Ultra DDR2-800 Plus内存模组安装有提供保护、散热功能的橙色铝质金属外壳， 延续了Ultra系列的富有视觉冲击力的传统外形。

这是一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM，双rank规格配置16枚内存芯片，6层PCB设计，做工精致。GeIL内存名模组的产品标签分成两个部分 贴在模组的正方两面，它们共同提供了内存模组的型号、容量、速度和标准延迟及工作电压，同时也有每根唯一的产品编号和产地信息。

依照产品标称，GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB内存模组可以在2.4V工作电压下以3-3-3-8的时序设定工作在JEDEC认证的最高规格DDR2-800上，CAS延迟为3的水平已经是DDR2 SDRAM内存模组能够使用的最低极限！虽然2.4V DIMM电压并不是所有的主板都能够提供，但对GeIL Ultra DDR2-800 Plus的目标用户--发烧玩家们来讲，这并不是问题。

SPD信息提供了 完整而准确的产品信息，我们能够在模组型号“CL3-3-3DDR2-800+”上明确看出这是3-3-3时序的DDR2-800产品。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，DDR2-800为5-5-5-18，这一部分是内存在1.8V标准工作电压下的默认时序，和产品标签的2.4V DDR2-800@3-3-3-8并不相同，后者是产品非标准工作电压下超频能力的标称。

影响内存性能的因素

影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

CAS Latency，内存CAS延迟时间。

RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。

Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的For Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

Micron芯片现身

小心翼翼的拆开内存模组金属外壳后，GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB的芯片状况一览无遗，它搭载了Micron编号为D9GMH的DDR2 SDRAM芯片。

重量级DRAM制造商镁光（Micron）内存芯片无疑是目前DDR2 SDRAM产品中最令人激动的，从早期的制造工艺落后但超频性能强悍的“Fatboy”D9内存芯片开始，Micron芯片一直占据着DDR2 SDRAM超频的顶尖位置，包括CORSAIR XMS2 DDR2-1066内存模组在内的无数顶级超频品产品，都是基于Micron内存芯片制成的。

“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2（DDR2 SDRAM支持的最快时序）并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事，要知道这是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。在Micron把内存芯片制造工艺改进到90纳米之后较长一段时间，这些新工艺的芯片都无法达到“Fatboy”D9的超频能力，直到最近两个季度的新芯片，Micron再一次让玩家疯狂，编号为D9GCT、D9GMH、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！

如何了解Micron BGA封装芯片信息

Micron DRAM芯片可以根据其差价品型号识别出产品规格，其详情如下图所示，可点击放大：

但我们能够发现之前我们看到的诸如D9GCT、D9GMH、D9GKX芯片在上表中根本无法对应，原因是FBGA产品封装尺寸较小，Micron在FBGA封装芯片上改变了以往TSOP II封装时将产品型号直接标注在芯片表面的做法，而是使用了更简单的产品代码。值得注意的是D9GCT、D9GMH、D9GKX这些仅能称作产品代码，而并非产品型号，它们和上表规则的真实产品型号能够对应，而我们可以通过Micron网站上提供的工具来找到FBGA封装芯片的产品型号。

如上图我们看到的，输入FCBGA产品代码，数据库将返回产品型号和连接，其产品详细规格也就可以找到了，这个在线查询工具的连接是http://www.micron.com/support/designsupport/tools/fbga/decoder

于是D9GMH的产品型号MT47H64M8B6-3就得到了，它为512Mbit规格，64Mx8组织方式，MT47H64M8B6-3使用60-pin FBGA 10mm*10mm尺寸封装，标称速度3纳秒，标称运行模式DDR2-667@CL5上，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。可以看到GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB无论是SPD标称的频率时序信息，还是产品标签的标称，都是对这种芯片超频后得到的，不过D9GMH（MT47H64M8B6-3）确实有这样的实力。

D9GMH这样的FCBGA产品代码虽然不能直接了解产品规格，但由于它跟产品型号能够一一对应并不会出现混乱和混淆，DIY玩家用这个CBGA产品代码来识别分辨性能优秀的芯片是可行的。

这里额外说说FCBGA芯片D9GMH代码上面那行代码，诸如6JD22这样的代码是能够直接了解其含义的：第一位是生产年份，6即06年；第二位是生产星期，用26个字母表示52周中的偶数周，J即第20周；第三位是芯片核心版本，D已经是第四代；第四第五位分别表示芯片出货和封装的地点（1-美国、2-新加坡、3-意大利、4-日本、5-中国），22即表示两个地点均为新加坡。这一行代码对于挑选芯片的超频能力也有意义，通常同样型号芯片也因为生产日期、内核版本以及产地的不同会有些差异。

测试平台

超频测试部分包含内存模组在3-3-3-8/4-4-4-12/5-5-5-15三种时序设定下的双通道稳定运行频率上限，Socket AM2平台还区分1T/2T Timing设定，分别测试1.8V标准工作电压和2.4V（2.2V）工作电压，所有的超频测试均以系统通过3200万位SuperPI测试为成功基准。ASUS主板所特有的内存加速技术HyperPath以及显卡加速技术PEGLink均设定为关闭。

测试软件相关

超频能力结果

GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB*内存模组是超频能力优秀的产品，虽然仅仅使用Micron DDR2-667规格的芯片，虽然产品的标称值已经很高，但它仍有不小的可提升空间留给了DIY玩家，超过DDR2-1066的4-4-4-12以及超过DDR2-800的3-3-3-8运行能力是这款产品的最大亮点，相对于其他标称值更高的超频型产品而言，GeIL这款Ultra DDR2-800 Plus显然谦虚得多。这款2GB总容量的内存套装官方报价为2299元人民币，并不算便宜，但和提供同类超频能力的其他内存模组相比，这已经是最实惠的产品了。

【原创】【作者：THOR 武汉】　
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