下游买家联手倒货128Mb SDRAM下杀至3美元
自去年底ＤＲＡＭ内存现货价开始飙涨起，便引发批发商、经销商、模组厂等下游买家强势在市场扫货动作，然近三个月来的回补库存行为，已造成这些下游买家库存堆高至六周以上水位。而近日因市场需求未如预期回笼，为舒缓手中库存压力，部份模组厂、经销商等遂于17日联手进行抛货动作，原厂128M SDRAM现货价由3.5美元高档一路下杀至3美元，单日跌幅将近15％。 ＤＲＡＭ现货价，自本周起便已出现跌价迹象，不过因上游ＤＲＡＭ厂库存水位在二周以下低档，与批发商、经销商等下游买家仍预期未来价格将走扬而惜售，因此下跌幅度并不明显。
不过，随着农历年关将近，与内存销售未如预期好，部份下游买家为调节本身库存水位，并寻求获利了结，昨日下午起联手向市场进行低价倒货动作，包括Hynix、美光（Micron）、亿恒（Infineon）等原厂128M SDRAM颗粒，现货价由昨日早盘的3.5美元左右，一路下杀至傍晚的3美元，盘中甚至一度跌至2.9美元价位。
针对此一低价倒货现象，集邦科技表示，ＤＲＡＭ现货价之所以会出现如此大的跌幅，主要是模组厂、经销商等业者自去年11月ＤＲＡＭ价格开始飙涨时，便预期未来价格将持续上扬，一路在市场上扫货搜购ＤＲＡＭ颗粒，然近期ＤＲＡＭ价格维持在3.5美元上下震荡，许多手上现金有限的下游买家，因考量到三星（Samsung）、Hynix与系统整合大厂间的合约价调涨协商不顺，已使ＤＲＡＭ价格到了短线顶点。为求能降低库存压力并转换成现金流入，部份厂商才选择将高出安全库存以上的ＤＲＡＭ颗粒以低价向市场倒货。
至于昨日的ＤＲＡＭ杀盘动作，是否意味着新一波的价格跌势已经开始，集邦科技表示，事实上去年开始的ＤＲＡＭ价格飙涨，多为下游买家回补库存引发的假性需求所拉动，最终消费端需求（end demand）并不如预期高，因此若想让这波ＤＲＡＭ跌价态势趋缓或止跌回扬，需视月底英特尔的Ｐ４微处理器降价，与支持ＳＤＲＡＭ的低价版芯片组等新产品，可否真正带动最终消费端需求的回升。
然而ＤＲＡＭ现货价昨日的低价杀盘，仍未影响上游ＤＲＡＭ制造厂的调高现货价态度。业者表示，ＤＲＡＭ厂之所以仍保持持续调高价格的高姿态，原因正是手中库存量已完全移转至下游买家。包括力晶、南亚科、华邦等台湾ＤＲＡＭ厂，与三星、Hynix等国际大厂的库ＤＲＡＭ芯片都在二周以下，因此预期未来这些ＤＲＡＭ厂仍将抱持高价态度出货，除非批发商、模组厂等下游买家在未来两个月内不再进货，才可能松动ＤＲＡＭ厂的强硬态度。
不过，唯一例外的是，日前宣布将调涨一月下半月ＤＲＡＭ合约价五成的Hynix，昨日在面对下游买家低价倒货情况，难得地出现一天内连降二次报价的情况，据业者表示，Hynix品牌的128M SDRAM昨日开盘价仍维持前日3.5美元高档，但中午杀盘卖量持续涌出後，报价已下拉至3.3美元，下午还一度报出3.1美元低价争取市场买家采购。
