|
威盛将出比I850带宽更高的DDR芯片组
【业界动态】
2002年01月10日11:20
【文章简介】
这种内存是目前DDR内存的带宽倍增，为普通SDRAM的四倍... (379 字) |
最近，威盛曾经放出风声要推出一种名为QBM的DDR内存模块，它通过对内存芯片的特殊设计，可以令目前DDR内存的带宽倍增，为普通SDRAM的四倍，刚好可以满足Pentium4的需求。不过正是因为这种内存需要重新设计芯片，所以成本比目前的DDR SDRAM要高出不少，在目前内存价格节节攀高的时候，恐怕没有内存芯片厂家会冒风险推出这种昂贵的新产品。
因此，威盛极有可能改变它的计划，不在内存芯片上动手脚，而是在主板芯片上直接支持双通道DDR内存，那样用户只需使用普通DDR内存也可以实现双倍的带宽。据悉，威盛将发布一款名为 P4X600的DDR P4芯片组，它可以支持128bit的内存总线（是目前64bit的两倍），提供高达4.2GB/s或者5.3GB/s的带宽，比使用Rambus内存I850的3.2GB/s还要高出20%-40%。
与此同时，Intel也有意推出双通道DDR主板芯片，目前代号为Granite Bay，计划在今年第三季度发表，主要用于低端服务器和工作站系统。
【作者：业界动态
武汉】 版权作品
未经许可 请勿转载
网友评论(仅供参考与本站立场无关)
|
