Hynix大涨内存价格约三成 三星将跟进
南韩半导体大厂Hynix周三指出，该公司已自元月一日起将大客户的128M DRAN合约价格平均调涨30％。三星电子同时表示，将在一两个星期内跟进。在连番涨价的激励下，南韩半导体类股周三全面大涨。 Hynix发言人指出，DRAM现货价持续攀升，而该公司的存货已节节下降。三星发言人则表示，Hynix最新涨幅高于预期，为三星与ＰＣ制造商的价格谈判奠立良好基础，谈判结果可能于下周初出炉。
包括上周末的调涨行动，这已经是Hynix去年12月以来的第三次调涨DRAM价格行动。Hynix于去年12月初宣布调涨DRAM价格30％，又于12月中旬调涨10％至20％之间。
DRAM现货价格涨势已是一发不可收拾。根据线上DRAM交易市场DRAMeXchange.com周一的报价，128M DRAM现货价从上周末每颗1.93美元暴涨至2.52美元，涨幅高达30.6％。
受DRAM价格大涨激励，三星电子周一收盘劲扬10.4％，收三十万八千韩元，创下16个月来新高点。Hynix飙涨14.9％，收2780韩元。全球最大的封装测试大厂安南半导体也拉出一支15％的涨停板。
与此同时，Hynix周三还表示，将于1月15日与美光科技开启另一回合新的合并谈判。
Hynix重整委员会一位高层人士指出，美光预计将吃下Hynix整个DRAM部门及部份非记忆体的芯片部门。
该名人士还指出，如果美光根据南韩半导体业者资产做出公平评估后提出合适的价钱，Hynix的重整委员会将会接受美光的资产购并建议。
美光与Hynix预计将于本月先签署意向书，看会谈的进展，再进一步签署较正式的合约。
Hynix重整委员会另一名人士则指出，如果双方同易DRAM部门的交易，Hynix方面则希望，美光能买下Hynix非DRAM部门19％的股权。
去年底韩国DRAM大厂三星（Samsung）、Hynix将库存出清至代工厂商后，因在库现货量低于一周水平，三星在今年开盘首日（二日）大举调高128M DRAM现货价至2.9美元高档，此举不仅引发Hynix、美光（Micron）等DRAM厂跟进调高价格，系统整合厂与模组厂也展开新一波市场扫货动作。业者表示，三星已决定于三日将价格再向上拉抬至3美元，并将在近期再度调高一月份合约价至2.5美元以上。
由于三星此举调涨价格动作过于突然，且其馀DRAM大厂快速跟进，引发美国、亚洲等地系统整合厂与模组厂一阵哗然，纷纷进场进行大规模的扫货动作，不过因DRAM厂端库存不足，且代工厂商在预期未来价格仍将飙涨，不愿释出已高达六周以上的库存至市场，昨日DRAM现货市场出现难得一见的严重缺货情况。
